| 摘要 |
<p>暗電流を効果的に低減する固体撮像素子を提供する。固体撮像素子は、半導体から成り複数の画素領域を有する基板１０と、画素領域毎に基板１０中に形成され基板１０とは逆の導電型の半導体から成るとともに光電変換によって生じた第１極性の電荷を蓄積する複数の蓄積部１１と、少なくとも一方の基板表面１０２の上方に設けられるとともに第１固定電荷Ｅを有する固定電荷層１４ａと、を備える。基板表面１０２における第１固定電荷Ｅとは逆極性となる集積電荷ｈの密度は、基板表面１０２に平行な方向に対して、画素領域の配列または蓄積部の配列に対応して変化する。</p> |
