发明名称 ゲート駆動回路
摘要 <p>電力用半導体素子を定電流で駆動して高速スイッチングを行うことができ、かつアーム短絡の際に低速な短絡保護回路でも電力用半導体素子が破壊すること無く保護することを目的とする。本発明のゲート駆動回路(100)は、電力用半導体素子(1)のゲート電極に接続された第一のゲート充電装置(14)と、電力用半導体素子(1)のゲート電極に接続された第二のゲート充電装置(15)と、第一のゲート充電装置(14)及び第二のゲート充電装置(15)における電力用半導体素子(1)のゲート電極への充電を制御する制御回路(13)とを備え、第一のゲート充電装置(14)は、第二のゲート充電装置(15)の電源電圧よりも低い電源電圧に制限された定電流生成器(45)により電力用半導体素子(1)のゲート電極を充電し、制御回路(13)は、第一のゲート充電装置(14)を第二のゲート充電装置(15)よりも早いタイミングで充電動作させる。</p>
申请公布号 JPWO2013094241(A1) 申请公布日期 2015.04.27
申请号 JP20130550147 申请日期 2012.07.03
申请人 发明人
分类号 H02M1/08;H02M7/48 主分类号 H02M1/08
代理机构 代理人
主权项
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