| 摘要 |
本開示は、暗電流の発生を抑制して、より良好な画質を得ることができる固体撮像素子および電子機器に関する。固体撮像素子は、半導体基板に対して配線が接続される接続部となる高濃度の拡散層と、拡散層の表面を覆うように成膜されるジャンクションリーク制御膜を備える。また、拡散層に対して配線を接続するために、半導体基板に積層された絶縁膜に形成される開口部の幅が、拡散層の幅よりも広く形成される。さらに、受光量に応じて電荷を発生する光電変換部で発生した電荷を蓄積する電荷蓄積部では、ジャンクションリーク制御膜がキャパシタ膜と兼用される。さらに、拡散層とジャンクションリーク制御膜との間に、シリコン酸化もしくは界面準位の低い酸化膜が形成される積層構造を有する。本技術は、例えば、CMOSイメージセンサに適用できる。 |
