| 摘要 |
固体撮像装置（１）は、同一の半導体基板（１０）上に、画素信号を生成する複数の単位画素（１１）と、複数の単位画素（１１）に列毎に接続され、比較電位と画素信号とを比較する比較回路（１６）と、比較電位を生成し、生成した比較電位を各列の比較回路（１６）に共通に供給するＤ／Ａ変換回路（１３）と、Ｄ／Ａ変換回路（１３）から各列の比較回路（１６）へ比較電位を供給するための共通の配線（１４）に設けられたＤ／Ａ変換回路出力部（１５）とを備え、Ｄ／Ａ変換回路出力部（１５）は、配線（１４）に設けられたソースフォロア回路であって、トランジスタを有する第一の負荷電流源（４３）と、当該トランジスタよりもゲート酸化膜が薄いトランジスタであるアンプトランジスタ（４２）とを有するソースフォロア回路（４１）と、アンプトランジスタ（４２）のドレイン−ソース間電圧を制御する電圧制御回路（４４）とを有する。 |
