| 摘要 |
主としてセラミックを含んでなる誘電体層からなる基材と基板の内部に埋設される内層電極とを備える基板において、前記基材が、第１誘電体からなる少なくとも１層の第１誘電体層及び８質量％以上のガラス網目形成体成分を含有する第２誘電体からなる少なくとも１層の第２誘電体層を含んでなり、前記内層電極が有する前記基板の主面に略平行な２つの主面のうち少なくとも一方の主面において、前記内層電極と前記第２誘電体層とが接触しており、前記基板の主面の法線方向における前記第１誘電体層の合計厚みＴに対する前記基板の主面の法線方向における前記内層電極と接触している前記第２誘電体層の合計厚みｔの比率ｔ／Ｔが０．１以上である、構成とすることにより、前記基材に亀裂を生ずること無く、前記基材と前記内層電極とを同時に焼成することができる。（選択図：図４） |
