| 摘要 |
<p>反射率を低下させる為にシリコン表面（１１６）をエッチングする方法（３００）。この方法（３００）は、シリコン表面（１１６）上に約２０ナノメートルのサイズの銅ナノ粒子を３〜８ナノメートルの粒子間隔で無電解析出させるステップを含む。方法（３００）は、シリコン表面（１１６）を有する基板（１１２）を容器（１２２）中に配置するステップ（３１０）を含む。容器（１２２）には、シリコン表面（１１６）を覆うように、ある体積のエッチング溶液（１２４）が満たされる（３４０）。エッチング溶液（１２４）は、酸化剤−エッチャント溶液（１４６）、例えば、フッ化水素酸及び過酸化水素の水溶液を含む。シリコン表面（１１６）は、例えば超音波撹拌を用いてエッチング溶液（１２４）を撹拌することによってエッチングされ（３５０）、エッチングは、エッチング溶液（１２４）を加熱するステップ（３６０）、及びシリコン表面（１１６）上に光を照射するステップ（３６５）を含むことができる。エッチング中、銅ナノ粒子によってエッチングプロセスが促進又は推進される。</p> |
