| 摘要 |
<p>基板（１）を準備する第１工程と、基板（１）上に複数のゲート電極（３ａ，３ｂ）を形成する第２工程と、複数のゲート電極（３ａ，３ｂ）上にゲート絶縁層（６）を形成する第３工程と、ゲート絶縁層（６）上に非晶質性シリコン層を形成する第４工程と、波長が４７３ｎｍ以上５６１ｎｍ以下であるレーザー光をゲート電極（３ａ，３ｂ）の上方の領域における非晶質性シリコン層に照射することにより、ゲート電極（３ａ，３ｂ）の上方の領域に結晶性シリコン層領域（７ａ’，７ｂ’）を形成するとともに、ゲート電極（３ａ，３ｂ）の上方以外の領域に非晶質性シリコン層領域（１２’）を形成する第５工程と、結晶性シリコン層領域（７ａ’，７ｂ’）の上方にソース電極及びドレイン電極を形成する第６工程と、を含む。ゲート絶縁層（６）の膜厚及び非晶質性シリコン層の膜厚は、所定の関係式を満たすように構成される。</p> |
