| 摘要 |
<p>複数層分のビット線（ＢＬ）と、複数層分のビット線（ＢＬ）の層間のそれぞれに形成された複数層分のワード線（ＷＬ）と、複数層分のビット線（ＢＬ）と複数層分のワード線（ＷＬ）との交点のそれぞれに形成された複数のメモリセル（ＭＣ）を有し、複数の基本アレイ面から構成されるメモリセルアレイと、複数の基本アレイ面のそれぞれに対応して設けられたグローバルビット線（ＧＢＬ）と、複数の基本アレイ面のそれぞれに対応して設けられた第１の選択スイッチ素子及び第２の選択スイッチ素子の組とを備える抵抗変化型不揮発性記憶装置において、異なる基本アレイ面間において、同一ワード線に接続されたメモリセルに連続アクセスし、ワード線およびビット線に印加する電圧を変更せず、メモリセルに流れる電流の向きが同じになるようにメモリセルを選択する。</p> |
