不揮発性半導体記憶装置およびその書き込み方法

摘要

複数のワード線（２）と、複数のビット線（３）と、メモリセル（４）とオフセット電流検知セル（５）で構成されるセルの集合体で構成されるクロスポイントセルアレイ（１）と、ワード線選択回路（１０）と、ビット線選択回路（１１）と、書き込み制御回路（２２）と、電流を検出し電気信号に変換する電流センス回路（２１）と、を備え、書き込み制御回路（２２）は、第１の書き込み電流より高い第２の書き込み電流をメモリセル（４）に流すように書き込み用の電気信号を調節する。