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Circuit intégré comprenant au moins un transistor du type NMOS (TRN) et au moins un transistor du type PMOS (TRP) sur respectivement des zones différentes (10, 11) d'un substrat du type silicium sur isolant, chaque transistor (TRP, TRN) comprenant au dessus du substrat une région de grille (RGP, RGN) deux régions isolantes latérales multicouches (40-42, 50-52) s'appuyant respectivement sur deux flancs de la région de grille, reposant sur le substrat et comportant chacune une portion inclinée (44, 54) s'évasant en s'éloignant du substrat, une région de source et une région de drain comportant chacune un bloc semiconducteur (6, 8) reposant sur le substrat, séparé du flanc correspondant de la région de grille par la région isolante latérale correspondante et possédant une portion inclinée (60, 80) s'appuyant sur la portion inclinée (44, 54) de ladite région latérale isolante. |
