| 摘要 |
<p>캐리어 농도 및 발광 출력을 향상시킨 p형 AlGaN층 및 그 제조 방법 및 III족 질화물 반도체 발광소자를 제공한다. III족 원료 가스를 III족 원료 가스 유량 A(0≤A)로 공급하는 것과 동시에, V족 원료 가스를 V족 원료 가스 유량 B(0＜B)로, 한편 마그네슘을 포함한 가스를 Mg 함유 가스 유량 C(0＜C)로 공급하는 제1 공정과, III족 원료 가스를 III족 원료 가스 유량 A(0＜A)로 공급하는 것과 동시에, V족 원료 가스를 V족 원료 가스 유량 B(0＜B)로, 한편 마그네슘을 포함한 가스를 Mg 함유 가스 유량 C(0＜C)로 공급하는 제2 공정을 여러 차례 반복하는 것으로 p형 AlGaN층(0≤x＜1)을 형성하며, 상기 III족 원료 가스 유량 A은 p형 AlGaN층을 층 성장시키지 않는 유량이며, A≤0.5A인 것을 특징으로 한다.</p> |
