Siliziumcarbidhalbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren hierfür

摘要

Bei einem Verfahren zur Herstellung einer Siliziumcarbidhalbleitervorrichtung mit einem vertikalen Schaltelement mit einer Grabengatestruktur (9) unter Verwendung eines Substrats (1) mit einem Off-Winkel bezüglich einer (0001)-Ebene oder einer (000-1) wird ein Graben (6) von einer Oberfläche eines Sourcebereichs (4) durch einen Basisbereich (3) hindurch bis zu einer Tiefe gebildet, welche eine Driftschicht (2) erreicht, so dass eine Seitenwandfläche des Grabens zu einer (11-20)-Ebene oder einer (1-100)-Ebene weist, und ein Gateoxidfilm (7) wird ausgebildet, ohne dass nach Ausbildung des Grabens (6) eine Opferoxidation durchgeführt wird.