发明名称 Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Vereinzelung von Halbleiterchips
摘要 Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit einem Träger (2) und einem Halbleiterkörper (1) aufweisend eine zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung vorgesehene aktive Schicht (13) angegeben, bei dem der Träger (2) eine dem Halbleiterkörper zugewandte erste Hauptfläche (2A), eine dem Halbleiterkörper abgewandte zweite Hauptfläche (2B) und eine zwischen der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche angeordnete Seitenflanke (2C) aufweist. Der Träger (2) weist einen strukturierten Bereich (21, 22, 23, 2C) zur Vergrößerung einer Gesamtoberfläche der Seitenflanke auf, wobei der strukturierte Bereich Vereinzelungsspuren aufweist. Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend einen solchen Halbleiterchip und ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl solcher Halbleiterchips angegeben.
申请公布号 DE102013111503(A1) 申请公布日期 2015.04.23
申请号 DE201310111503 申请日期 2013.10.18
申请人 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH 发明人 KÄMPF, MATHIAS;NEUDECKER, INGO;SPATH, GÜNTER;HUBER, MICHAEL;JEREBIC, SIMON
分类号 H01L33/48;H01L21/301 主分类号 H01L33/48
代理机构 代理人
主权项
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