| 发明名称 |
メモリーおよびロジックデバイスおよびその実行のための方法 |
| 摘要 |
本技術の例示的な一実施形態によれば、強磁性体を備える第１の層を含むスピン選択デバイスが開示されている。スピン選択デバイスは、さらに、第１の層と結合した第２の層を含んでいる。第２の層は、電流が第１の層と第２の層との間に流れると強磁性体の１つ以上の領域がある方向に沿って磁気的に偏極するように、特定のキラリティーを有する少なくとも１つの分子を含んでいる。【選択図】図１０ |
| 申请公布号 |
JP2015512159(A) |
申请公布日期 |
2015.04.23 |
| 申请号 |
JP20140561585 |
申请日期 |
2013.03.13 |
| 申请人 |
イエダ リサーチ アンド ディベロップメント カンパニー リミテッド;イッサム・リサーチ・ディベロップメント・カンパニー・オブ・ザ・ヘブルー・ユニバーシティ・オブ・エルサレム・リミテッド |
发明人 |
ナーマン，ロン;パルティエル，ヨセフ;コバー，シヴァン;ゴテスマン，ジラッド |
| 分类号 |
H01L21/8246;H01L27/105;H01L29/82 |
主分类号 |
H01L21/8246 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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