Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren der gleichen

摘要

Halbleitervorrichtung, die einen Zellenbereich, in welchem eine Schaltzellengruppe mit einem vertikalen Halbleiter ausgebildet ist, und einen peripheren Bereich (23) aufweist, der sich auf dem Umfang des Zellenbereichs befindet, wobei die Halbleitervorrichtung aufweist: eine Halbleiterschicht (22), die durchgängig von dem Zellbereich bis zu dem peripheren Bereich (23) ausgebildet ist; eine Isolationsschicht (54), die die Oberfläche der Halbleiterschicht (22) in dem peripheren Bereich (23) bedeckt; und eine Leiterschicht (42a), die mindestens die Oberfläche der Isolationsschicht (54) an dem Zellenbereich bedeckt, wobei eine Super-Junction-Struktur, in welcher eine Kombination eines ersten Abschnittbereichs (27), der sich in der Schichtdickenrichtung ausdehnt und Störstellen eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweist, und eines zweiten Abschnittbereichs (25), der sich in der Schichtdickenrichtung ausdehnt und Störstellen eines zweiten Leitfähigkeitstyps beinhaltet, wiederholt in einer Ebene ausgebildet ist, die senkrecht zu der Schichtdickenrichtung ist, ist in dem unteren Bereich der Halbleiterschicht des Zellenbereichs ausgebildet, eine obere Halbleiterschicht (52), die Störstellen des zweiten Leitfähigkeitstyps beinhaltet und eine untere Halbleiterschicht (23), die Störstellen des ersten Leitfähigkeitstyps beinhaltet, deren Konzentration niedriger als die des ersten Abschnittbereichs (27) ist, der die Kombination des Zellbereichs bildet, in der Halbleiterschicht (22) des peripheren Bereichs (23) ausgebildet sind, die Leiterschicht (42a) an der Oberflächenseite, die die Schaltzellengruppe mit einem vertikalen Halbleiter bildet, mit einer Hauptelektrode (37, 39) verbunden ist, die Super-Junction Struktur nur in dem Zellbereich ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass ein Grenzbereich (26) einschließlich Störstellen des ersten Leitfähigkeitstyps an einer Grenze zwischen dem Zellbereich und dem peripheren Bereich in einer Richtung ausgebildet ist, in der erste Abschnittsbereich (27) und der zweite Abschnittsbereich wiederholt ausgebildet sind, und der Grenzbereich schmaler als der erste Abschnittsbereich (27) ist.