发明名称 一种单步化学脱合金制备Cu-Ag纳米多孔片结构方法
摘要 本发明属于材料科学与工程领域,特别涉及一种单步化学脱合金制备Cu-Ag纳米多孔片结构方法。本发明方法在对母合金成分与结构进行调控的基础上,采用简单的单步室温化学脱合金,实现了Cu-Ag纳米多孔片结构的复杂金属微纳米结构的制备。本发明提出的新型单步化学脱合金制备复杂金属微纳米结构方法,具有设备简单、操作简便、成本低廉、产品重现性好、可控性强、适合大批量生产等特点。
申请公布号 CN104532047A 申请公布日期 2015.04.22
申请号 CN201410811478.2 申请日期 2014.12.23
申请人 清华大学 发明人 姚可夫;刘学;邵洋;陈娜
分类号 C22C3/00(2006.01)I;C22C1/08(2006.01)I 主分类号 C22C3/00(2006.01)I
代理机构 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人 黄家俊
主权项 一种单步化学脱合金制备Cu‑Ag纳米多孔片结构方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:制备Zr‑Cu‑Ag‑Al合金:将纯Zr、纯Cu、纯Ag和纯Al按比例进行混合,在氩气气氛中,反复多次进行熔炼,待试样成分均匀后冷却得到Zr‑Cu‑Ag‑Al合金锭;步骤2:制备Zr‑Cu‑Ag‑Al带合金:将步骤1中所得Zr‑Cu‑Ag‑Al合金锭制备成Zr‑Cu‑Ag‑Al合金带;步骤3:脱合金:将步骤2中所得Zr‑Cu‑Ag‑Al合金带置于氢氟酸溶液中,在室温下放置进行化学脱合金;步骤4:清洗干燥:将步骤3中所得脱合金后的Zr‑Cu‑Ag‑Al合金带取出,分别使用去离子水和酒精浸泡清洗,然后再置于酒精中并进行超声波分散处理,干燥后得到Cu‑Ag纳米多孔片结构。
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