| 发明名称 | Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Hf<sub>x</sub>La<sub>1-x</sub>O/SiO<sub>2</sub>堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Hf<sub>x</sub>La<sub>1-x</sub>O/SiO<sub>2</sub>堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法，包括：SiC衬底上设有SiC外延层；堆垛栅介质层包括下层SiO<sub>2</sub>过渡层、Hf<sub>x</sub>La<sub>1-x</sub>O层和Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>覆盖层；SiC外延层上设有下层SiO<sub>2</sub>过渡层，下层SiO<sub>2</sub>过渡层上设有Hf<sub>x</sub>La<sub>1-x</sub>O层，Hf<sub>x</sub>La<sub>1-x</sub>O层上设有Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>覆盖层；正负电极分别与Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>覆盖层的表面和SiC衬底的背面连接。该堆垛栅介质层的SiC MOS电容，降低界面态密度和边界陷阱密度，增加MOS沟道迁移率，减小了栅漏电流，并提升了介质层的耐压能力，提高了SiC MOS电容的质量和增强了其可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN104538460A | 申请公布日期 | 2015.04.22 |
| 申请号 | CN201510010446.7 | 申请日期 | 2015.01.07 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 贾仁需;赵东辉;吕红亮;张玉明 |
| 分类号 | H01L29/94(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/94(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京亿腾知识产权代理事务所 11309 | 代理人 | 李楠 |
| 主权项 | 一种Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Hf<sub>x</sub>La<sub>1‑x</sub>O/SiO<sub>2</sub>堆垛栅介质层的SiC MOS电容，其特征在于，所述堆垛介质层的SiC MOS电容包括：SiC衬底、SiC外延层、堆垛栅介质层和正负电极；所述SiC衬底上设有SiC外延层；所述堆垛栅介质层包括下层SiO<sub>2</sub>过渡层、Hf<sub>x</sub>La<sub>1‑x</sub>O层和Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>覆盖层；所述SiC外延层上设有下层SiO<sub>2</sub>过渡层，所述下层SiO<sub>2</sub>过渡层上设有所述Hf<sub>x</sub>La<sub>1‑x</sub>O层，所述Hf<sub>x</sub>La<sub>1‑x</sub>O层上设有Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>覆盖层；所述正负电极分别与Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>覆盖层的表面和SiC衬底的背面连接；所述SiC衬底为重掺杂的SiC衬底层，所述SiC外延层为轻掺杂的SiC外延层。 | ||
| 地址 | 710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号 | ||