| 发明名称 | 接触孔的工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种接触孔的工艺方法，包含步骤：第一步，接触孔刻蚀形成之后，进行钛/氮化钛阻挡层的溅射工艺；第二步，接触孔内再淀积一层金属钨；第三步，对淀积的金属钨进行回刻；第四步，进行金属溅射工艺填充接触孔。本发明利用了填孔效果好的LPCVD钨淀积工艺，在接触孔刻蚀形成的底部凹陷处形成钨侧墙，以弥补钛/氮化钛阻挡层底部边缘处厚度的不足，有效改善了填充金属铝或铝/铜和硅之间扩散形成铝钉的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN104538347A | 申请公布日期 | 2015.04.22 |
| 申请号 | CN201410854000.8 | 申请日期 | 2014.12.31 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 李豪 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种接触孔的工艺方法，其特征在于：包含如下步骤：第一步，接触孔刻蚀形成之后，进行钛/氮化钛阻挡层的溅射工艺；第二步，接触孔内再淀积一层金属钨；第三步，对淀积的金属钨进行回刻；第四步，进行金属溅射工艺填充接触孔。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||