发明名称 一种石墨烯的稳定掺杂方法
摘要 本发明涉及一种石墨烯的稳定掺杂方法,包括将掺杂试剂分子包裹在石墨烯与石墨烯之间的步骤和/或将掺杂试剂分子包裹在基底与石墨烯之间的步骤,将掺杂试剂分子包裹在基底与石墨烯之间的步骤中使用临时基底。本发明实现稳定的掺杂效果,均是将掺杂剂分子覆盖在石墨烯层与基底层之间,避免了空气与掺杂剂分子直接接触,长期保持掺杂剂分子在石墨烯表面的原始掺杂状态,从而可以保持掺杂效果的长期稳定。
申请公布号 CN104528698A 申请公布日期 2015.04.22
申请号 CN201410803300.3 申请日期 2014.12.22
申请人 重庆墨希科技有限公司;中国科学院重庆绿色智能技术研究院 发明人 黄德萍;姜浩;朱鹏;李占成;张永娜;高翾;史浩飞
分类号 C01B31/04(2006.01)I 主分类号 C01B31/04(2006.01)I
代理机构 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人 杨立
主权项 一种石墨烯的稳定掺杂方法,其特征在于:包括将掺杂试剂分子包裹在石墨烯与石墨烯之间的步骤和/或将掺杂试剂分子包裹在基底与石墨烯之间的步骤;其中,所述将掺杂试剂分子包裹在石墨烯与石墨烯之间的步骤具体如下:步骤1)将石墨烯通过CVD法生长在铜箔上,然后将临时基底贴合在所述石墨烯上;步骤2)将所述铜箔放入刻蚀液中,对所述铜箔进行刻蚀、水洗、吹干后,得到临时基底/石墨烯层样片,将所述样片的石墨烯的一面与基底贴合,然后去掉临时基底,再将石墨烯面放入掺杂液中进行掺杂,水洗、干燥后,得到石墨烯面上设有掺杂剂的样片;步骤3)将所述石墨烯面上设有掺杂剂的样片贴合到另一个临时基底/石墨烯层的样片上,然后再去掉所述临时基底,得到从下到上为依次为基底、石墨烯、掺杂剂及石墨烯顺序的样片形式;所述将掺杂试剂分子包裹在基底与石墨烯之间的步骤具体如下:1.1)将石墨烯通过CVD法生长在铜箔上,然后将临时基底贴合在所述石墨烯上;1.2)将所述铜箔放入刻蚀液中,对所述铜箔进行刻蚀,得到临时基底/石墨烯样片,再将所述样片的石墨烯面放入掺杂液中进行掺杂,再将进行掺杂的石墨烯的一面与基底贴合,然后去掉临时基底,得到石墨烯面上设有掺杂剂的样片,最终得到从下到上为依次为基底、掺杂剂及石墨烯顺序的样片形式;或者,将所述铜箔/石墨烯放入刻蚀液及掺杂液组成的混合液中,同时进行刻蚀及掺杂,再将进行掺杂的石墨烯的一面与基底贴合,然后去掉临时基底,得到石墨烯面上设有掺杂剂的样片,最终得到从下到上为依次为基底、掺杂剂及石墨烯顺序的样片形式。
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