| 发明名称 | 具有改良的角度响应的背面照射式成像传感器 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种具有改良的角度响应的背面照射式成像像素(400)，其包含具有前表面(207)及背表面(209)的半导体层。该成像像素还包含形成在该半导体层中的光电二极管区。该光电二极管区包含第一n-区(210)及第二n-区(215)。该第一n-区具有投射在该半导体层的前表面与背表面之间的中心线(213)。该第二n-区置于该第一n-区与该半导体层的背表面之间，以使该第二n-区自该第一n-区的中心线偏移。 | ||
| 申请公布号 | CN102217069B | 申请公布日期 | 2015.04.22 |
| 申请号 | CN200980145870.5 | 申请日期 | 2009.11.11 |
| 申请人 | 美商豪威科技股份有限公司 | 发明人 | D·毛;V·韦内齐亚;戴幸志;钱胤;H·E·罗兹 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 李玲 |
| 主权项 | 一种背面照射式成像像素，其包括：具有前表面及背表面的半导体层；形成在所述半导体层中的光电二极管区，其中所述光电二极管区包含：具有中心线的第一n区；以及置于所述第一n区与所述半导体层的所述背表面之间的第二n区，其中所述第二n区自所述第一n区的中心线偏移第一距离；以及形成在邻近所述光电二极管区的所述半导体层中的隔离区，其中所述隔离区包含：具有中心线的第一p阱；以及置于所述第一p阱与所述半导体层的所述背表面之间的第二p阱，其中所述第二p阱自所述第一p阱的中心线偏移第二距离，其中，所述第一及第二距离相等。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||