一种掩膜图案的修正方法

摘要

本发明是一种掩膜图案的修正方法，通过将大于光学临近效应临界点的图形筛选出来，对这部分图形跳过修正处理的步骤，使得真正需要修正的区域大大减少。从而在保证掩膜图形不被光学临近效益影响的前提下，提高了OPC的运算速度，并更加有效的配置了OPC资源和缩短了光刻版图的制作周期。

主权项

一种掩膜图案的修正方法，其特征在于，所述修正方法包括步骤：根据工艺规格确定光刻工艺参数；根据所述光刻工艺参数确定光学临近修正模型，建立光学临近修正的运算程序；提供一待光学临近修正的掩膜图案，根据光学临近效应的临界点特性，寻找掩膜图案中，各个线型图形的线宽尺寸和间隔尺寸的临界点尺寸；把大于临界点尺寸下的线型图形筛选出来，并进行标识处理，使整个掩膜图案分为标识图形和非标识图形；对所述非标识图形运行所述光学临近修正的运算程序，得到该些非标识图形的修正图形；以所述标识图形和修正图形为新的掩膜图形，进行掩膜板制造。