采用半导电材料的处理膜而无需纳米精度的塞贝克/珀耳帖热电转换器件

摘要

本公开涉及塞贝克/珀耳帖效应热电转换器件，且尤其涉及由与甚至大尺寸的经处理的半导体层交替的电介质层的叠层制成而无需纳米-微米尺度的平版印刷构图的器件。

主权项

一种塞贝克/珀耳帖效应热电转换器件，至少包含：低热导率电介质材料的平坦支撑；沉积在所述平坦支撑的主表面中的至少一个之上的掺杂多晶半导电材料层，其具有超过1.0Ω^‑1cm^‑1的体电导率，以不同动能和通量原位注入以气体离子，所述气体离子选自元素周期表的0族元素、氮、氟和氧；在经注入的掺杂多晶半导电材料层的相对侧上的到外部电路的电连接的金属化；与所述相对侧上的金属化重合的表面是与所述转换器件处于不同温度下的表面。