一种蓝绿光二极管外延片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种蓝绿光二极管外延片，属于二极管技术领域。所述外延片包括衬底层、以及依次覆盖在所述衬底层上的缓冲层、N型层、多量子阱层、P型电子阻挡层和P型层；所述多量子阱层包括由若干量子垒层和若干量子阱层交替形成的复合层、以及覆盖在所述复合层上的过渡层；所述复合层中与所述过渡层接触的一层为所述量子阱层。本发明通过将过渡层替换现有外延片多量子阱层中与P型电子阻挡层接触的量子垒层，减少了被阻挡在该层的电子数，同时也减少了停留在该层的空穴数，从而减少了在该层复合的电子和空穴，减少了发出波长接近紫外波段的光，最终提高了蓝绿光二极管的发光效率。

主权项

一种蓝绿光二极管外延片，所述外延片包括衬底层、以及依次覆盖在所述衬底层上的缓冲层、N型层、多量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，其特征在于，所述多量子阱层包括由若干量子垒层和若干量子阱层交替形成的复合层、以及覆盖在所述复合层上的过渡层；所述复合层中与所述过渡层接触的一层为所述量子阱层；所述过渡层采用GaN作为生长材料，并且所述过渡层的厚度小于所述量子垒层的厚度；或者，所述过渡层的组分从所述量子阱层的生长材料渐变到所述P型电子阻挡层的生长材料；或者，所述P型电子阻挡层采用P型掺杂的Al_xGa_1‑xN作为生长材料，所述过渡层采用Al_yGa_1‑yN作为生长材料，0＜y≤x＜1；P型层为P型掺杂的GaN层。