| 发明名称 | 用于污水深度处理的Ti/SnO<sub>2</sub>-Sb薄膜电极的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于污水深度处理的Ti/SnO<sub>2</sub>-Sb薄膜电极的制备方法，该方法包括以下步骤：Ti基体预处理步骤、锡锑的聚合前驱溶胶制备步骤、陈化步骤、Ti/SnO<sub>2</sub>-Sb薄膜电极制备步骤，其中，所述锡锑的聚合前驱溶胶制备步骤中，碳原子数为2～8的多元羧酸与碳原子数为2～5的多元醇缩聚而成的聚合物，并与锡锑的金属离子螯合；陈化步骤，在常温下，陈化30～90天；Ti/SnO<sub>2</sub>-Sb电极制备步骤，在所述经过预处理的Ti基板上涂布得到。通过以上方法制备的Ti/SnO<sub>2</sub>-Sb电极表面的SnO<sub>2</sub>-Sb涂层，结晶度高且极为致密，故导电性更优良。同时，SnO<sub>2</sub>-Sb晶体层非常致密，并且其向外高高凸起的晶体结构(110晶面)能够极大延缓新生态氧对Ti基体的侵蚀，因而大大延长了电极的寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN104528887A | 申请公布日期 | 2015.04.22 |
| 申请号 | CN201410610823.6 | 申请日期 | 2014.11.03 |
| 申请人 | 北京师范大学 | 发明人 | 牛军峰;林辉;徐泽升 |
| 分类号 | C02F1/46(2006.01)I | 主分类号 | C02F1/46(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纽盟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11456 | 代理人 | 许玉顺 |
| 主权项 | 一种用于污水深度处理的Ti/SnO<sub>2</sub>‑Sb薄膜电极的制备方法，该方法包括以下步骤：Ti基体预处理步骤、锡锑的聚合前驱溶胶制备步骤、陈化步骤、Ti/SnO<sub>2</sub>‑Sb电极制备步骤，其中，所述锡锑的聚合前驱溶胶制备步骤中，碳原子数为2～8的多元羧酸与碳原子数为2～5的多元醇缩聚而成的聚合物，并与锡锑离子螯合；陈化步骤，在常温下，陈化30～90天；Ti/SnO<sub>2</sub>‑Sb薄膜电极制备步骤，在所述经过预处理的Ti基板上涂布得到。 | ||
| 地址 | 100035 北京市海淀区新街口外大街19号科技处 | ||