| 发明名称 | 一种晶硅电池笑气直接生长氧化硅膜的制备工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种无需增加设备且可批量化生产的晶硅电池笑气直接生长氧化硅膜的制备工艺。它的具体操作步骤如下：(1)抽真空/N<sub>2</sub>清洗；(2)生长氧化硅膜；(3)沉积中间层氮化硅膜；(4)沉积上层氮化硅膜；(5)抽真空/N<sub>2</sub>清洗：执行一次抽真空/N<sub>2</sub>清洗循环，并退舟。本发明的有益效果是：采用在PECVD工序通笑气直接生长致密的氧化硅膜工艺，在只改进PECVD工艺的基础上，可阻止金属离子侵入电池，在电池端根本上解决组件PID现象，该方法无需增加设备，可批量化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN104538486A | 申请公布日期 | 2015.04.22 |
| 申请号 | CN201410662237.6 | 申请日期 | 2014.11.19 |
| 申请人 | 横店集团东磁股份有限公司 | 发明人 | 董方;陆峰;孙涌涛;任永伟 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人 | 尉伟敏 |
| 主权项 | 一种晶硅电池笑气直接生长氧化硅膜的制备工艺，其特征是，在PECVD工序通笑气直接生长氧化硅膜，以阻止金属离子侵入电池，具体操作步骤如下：(1)抽真空/N<sub>2</sub>清洗；(2)生长氧化硅膜；(3)沉积中间层氮化硅膜；(4)沉积上层氮化硅膜；(5)抽真空/N<sub>2</sub>清洗：执行一次抽真空/N<sub>2</sub>清洗循环，并退舟。 | ||
| 地址 | 322118 浙江省金华市东阳市横店工业区 | ||