桥式二极管整流器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种桥式二极管整流器，由深沟槽穿过外延层并交替排列隔离出的多个第一导电类型柱；单元结构包括四个第一导电类型外延柱，两个柱正面以及另两个柱反面分别形成有第二导电类型阱，各第一导电类型柱和对应的第二导电类型阱形成纵向PN结构二极管；在外延层的正面形成有正面金属图形、背面形成有背面金属图形，通过正面和背面金属图形将各纵向PN结构二极管连接形成器件单元结构。本发明还公开了一种桥式二极管整流器的制造方法。本发明具有较高的击穿电压，能够实现工艺集成节省芯片面积，以及能节省后续模块封装成本。

主权项

一种桥式二极管整流器，其特征在于，包括：第一导电类型外延层，在所述第一导电类型外延层中形成有多个深沟槽，在所述深沟槽中填充有隔离介质层，所述深沟槽穿过整个所述第一导电类型外延层的厚度并交替排列隔离出多个由所述第一导电类型外延层组成的第一导电类型柱；桥式二极管整流器的单元结构包括四个所述第一导电类型柱，其中两个所述第一导电类型柱的正面形成有第二导电类型阱，另外两个所述第一导电类型柱的背面形成有第二导电类型阱，各所述第一导电类型柱分别和对应的第二导电类型阱形成纵向PN结构二极管，通过调节所述第一导电类型外延层的掺杂浓度和所述第一导电类型柱的厚度调节各所述纵向PN结构二极管的击穿电压；在所述第一导电类型外延层的正面形成有正面金属图形，所述第一导电类型外延层的背面形成有背面金属图形，通过所述正面金属图形和所述背面金属图形将各所述纵向PN结构二极管连接形成所述桥式二极管整流器的单元结构。