一种新型阻变随机存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种基于石墨烯氧化物的阻变随机存储器的制造方法。该阻变随机存储器包括栅极、栅绝缘层、源极、漏极、有源区、位于有源区和源极及漏极之间的石墨烯层以及存储单元。存储单元包括上电极、下电极以及上下电极之间的阻变层，其中阻变层为石墨烯氧化物。其中石墨烯氧化物层为石墨烯层经过氧化工艺形成。该氧化工艺可为远程等离子体氧化工艺。石墨烯层的使用，提高了器件的电稳定性以及可靠性。同时采用该方法，降低了工艺难度，提高了生产效率。

主权项

一种阻变随机存储器的制造方法，包括：提供具有绝缘表面的衬底；在衬底上形成栅电极；形成覆盖栅电极的栅氧化层；在栅氧化层上形成图案化的源极和漏极；形成石墨烯图案，其覆盖源极和漏极；形成掩膜图案，其覆盖源极、部分漏极以及源极和漏极之间的部分，且暴露出漏极上的部分石墨烯图案;对暴露的位于漏极上的石墨烯层进行氧化工艺，在漏极的暴露部分形成石墨烯氧化物层;去除掩膜图案；形成有源层，且覆盖源极和部分漏极上的石墨烯图案，而暴露部分漏极上的石墨烯氧化物图案；在衬底上形成覆盖源极、漏极、有源层以及石墨烯氧化物层的层间绝缘层;在层间绝缘层上形成通孔，其暴露石墨烯氧化物层；在通孔中、暴露石墨烯氧化物层表面形成上电极；填充剩余的通孔。