| 发明名称 | 一种GaN基LED外延结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种GaN基LED外延结构，GaN基LED外延结构依次包括：衬底；位于衬底上的氮化物缓冲层；位于氮化物缓冲层上的N型GaN层；位于N型GaN层上的多量子阱层，多量子阱层包括若干组量子阱层，每组量子阱层依次包括In<sub>x</sub>Ga<sub>(1-x)</sub>N势阱层、AlN/GaN超晶格结构层、和GaN势垒层；位于多量子阱层上的P型GaN层。本实用新型可以提高量子阱的界面质量，同时减少内部应力，从而提高量子阱的内量子效率。 | ||
| 申请公布号 | CN204289495U | 申请公布日期 | 2015.04.22 |
| 申请号 | CN201420846907.5 | 申请日期 | 2014.12.26 |
| 申请人 | 聚灿光电科技股份有限公司 | 发明人 | 冯猛;陈立人;蔡睿彦 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人 | 杨林洁 |
| 主权项 | 一种GaN基LED外延结构，其特征在于，所述GaN基LED外延结构依次包括：衬底；位于衬底上的氮化物缓冲层；位于氮化物缓冲层上的N型GaN层；位于N型GaN层上的多量子阱层，所述多量子阱层包括若干组量子阱层，每组量子阱层依次包括In<sub>x</sub>Ga<sub>(1‑x)</sub>N势阱层、AlN/GaN超晶格结构层、和GaN势垒层；位于多量子阱层上的P型GaN层。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区新庆路8号 | ||