晶体硅太阳能电池镀膜方法

摘要

本发明涉及一种晶体硅太阳能电池镀膜方法，其包括以下步骤：首先，将硅片放入石英舟内，进行进舟。之后，通入氮气升温至380-450℃，维持5-15分钟。然后，通入氨气并开启射频进行预清洗，维持5-8分钟。接着，通入氨气与硅烷，开启射频进行等离子溅射沉积12-14分钟。最后，出舟冷却。有此，能够提升太阳能电池的光电转换效率。同时，去掉预清洗步骤后，能够针对现有的加工步骤缩短生产时间，提升生产产能。由于缩短了不必要的步骤，节省氨气使用量，降低生产成本。再者，本发明所采用的方法，整体步骤简便，且无需增加额外工序步骤和物料，节省了生产成本且有利于推广。

主权项

晶体硅太阳能电池镀膜方法，其特征在于包括以下步骤：步骤①，将硅片放入石英舟内，进行进舟，步骤②，通入氮气升温至380‑450℃，维持5‑15分钟，步骤③，通入氨气并开启射频进行预清洗，维持5‑8分钟，步骤④，通入氨气与硅烷，开启射频进行等离子溅射沉积12‑14分钟，步骤⑤，出舟，步骤⑥，冷却；步骤①所述的进舟时间为1‑3分钟，步骤②中，通入氮气升温至410℃，维持10分钟，步骤③所述的预清洗中，通入流量为5升/分钟的氨气开射频预清洗5分钟，的步骤④中通入流量为5‑9升/分钟氨气和600‑800毫升/分钟硅烷，开射频等离子溅射沉积13.3分，步骤⑥所述的冷却时间为6‑9分钟。