SEMICONDUCTOR DEVICE, HEMT DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

본 발명은 역방향 누설 전류가 억제되며 2차원 전자 가스의 이동도가 높은 반도체 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. 하지 기판 위에 III족 질화물층군을 (0001) 결정면이 기판면에 대하여 대략 평행해지도록 적층 형성한 에피택셜 기판과, 쇼트키성 전극을 구비하는 반도체 소자에 있어서, 에피택셜 기판이, InAlGaN(x1+y1+z1=1, z1>0)이 되는 조성의 제1 III족 질화물로 이루어지는 채널층과, InAlN(x2+y2=1, x2>0, y2>0)이 되는 조성의 제2 III족 질화물로 이루어지는 장벽층과, GaN으로 이루어져 장벽층에 인접하는 중간층과, AlN으로 이루어져 중간층에 인접하는 캡층을 구비하고, 쇼트키성 전극이 캡층에 접합되어 있도록 한다.