| 发明名称 | 半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法，包括以下步骤：在半导体晶圆上形成金属种子层；在金属种子层上形成负性光阻，且负性光阻的外周面与半导体晶圆的外周面平齐；遮挡负性光阻的边缘，并对负性光阻遮挡区域外的部分进行曝光，形成曝光图案，且被遮挡部分的负性光阻形成为边缘光阻；对边缘光阻内侧的部分进行曝光处理；去除边缘光阻的外侧部分。本发明中在半导体晶圆边缘形成用于电镀治具密封环所需要的无图形光阻以及控制半导体晶圆边缘形成的无光刻胶电镀阴极金属环接触区域宽度范围，可以有效的防止渗镀，延长电镀治具的预防性维护周期。 | ||
| 申请公布号 | CN104538287A | 申请公布日期 | 2015.04.22 |
| 申请号 | CN201410683305.7 | 申请日期 | 2014.11.24 |
| 申请人 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 发明人 | 施建根 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人 | 孟阿妮;郭栋梁 |
| 主权项 | 一种半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法，其特征在于，包括以下步骤：在半导体晶圆上形成金属种子层；在金属种子层上形成负性光阻，且所述负性光阻的外周面与所述半导体晶圆的外周面平齐；遮挡所述负性光阻的边缘，并对所述负性光阻遮挡区域外的部分进行曝光，形成曝光图案，且被遮挡部分的负性光阻形成为圆环形的边缘光阻；对所述边缘光阻内侧的部分进行曝光处理；去除所述边缘光阻的外侧部分。 | ||
| 地址 | 226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号 | ||