一种单晶硒纳米棒可见光光催化材料的制备方法及其用途

摘要

本发明提供了一种单晶硒纳米棒可见光光催化材料的制备方法，包括以下步骤：称取二氧化硒和抗坏血酸，将二氧化硒溶解于去离子水中制得亚硒酸溶液；将亚硒酸溶液滴加进抗坏血酸溶液中，滴加完成后，制得红色的悬浮液，搅拌悬浮液，将沉淀物离心并洗涤至中性，最后再离心得到固相产物α-Se；将制备好的α-Se转移到装有NaOH乙醇溶液的烧杯里，静置老化后，洗涤干燥后得到灰色产物，即为单晶硒纳米棒可见光光催化材料，本方法制备出的单晶硒纳米棒直径在100～200nm，长度达几十微米，通过漫反射光谱测得其半导体带隙为1.76eV，其用于降解工业染料污染物中的染料，对于甲基橙的降解效果尤为明显。

主权项

一种单晶硒纳米棒可见光光催化材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)、制备无定型α‑Se：按照1：2的摩尔比称取二氧化硒和抗坏血酸，将二氧化硒溶解于去离子水中制得浓度为0.1～0.2mol/L的亚硒酸溶液，将抗坏血酸溶解于去离子水中制得浓度为0.2～0.4mol/L的亚硒酸溶液；将亚硒酸溶液滴加进抗坏血酸溶液中，滴加完成后，制得红色的悬浮液，搅拌悬浮液50～60分钟，将沉淀物离心并洗涤至中性，最后再离心得到固相产物α‑Se；(2)、制备单晶灰硒t‑Se NRs：将制备好的α‑Se转移到装有浓度为0～10^‑2mol/L的NaOH乙醇溶液的烧杯里，静置老化20～24h后，洗涤干燥后得到灰色产物，即为单晶硒纳米棒可见光光催化材料t‑SeNRs，通过漫反射光谱测得其半导体带隙为1.7～1.8eV。