具有快速写入特性的相变存储装置

摘要

本发明提出一种存储装置。该装置包括可编程阻抗存储单元，包括电性预应力目标存储单元，该预应力目标存储单元具有一较低电压过渡门限、一较短延时设定间隔与一较长复位状态保持特性的其中之一，偏压电路是包括在装置上并经配置以控制该预应力操作，且以施加能够因应该预应力存储单元而修改的读取、设定以及复位操作。

主权项

一种集成电路，其特征在于，包含：在一衬底上的多个存储单元，该存储单元包含一可编程阻抗存储材料；以及一控制器，经配置以施加偏压操作至这些存储单元中的目标存储单元，其中对该目标存储单元的该偏压操作造成该目标存储单元具有所选择的操作特性，以及根据该所选择的操作特性以施加一写入程序至该目标存储单元；其中，该偏压操作包括一迭代预应力操作，其包括：施加一预应力电流脉冲至目标存储单元，在施加该预应力电流脉冲至一特定存储单元后，确定该特定存储单元的设定速度是否达到一目标速度，与如果否，则施加另一预应力电流脉冲至该特定存储单元，并且，当执行该施加另一预应力电流脉冲步骤时，使用具有超过在一前次迭代中所使用脉冲长度与脉冲高度其中至少之一的一改变值的一预应力电流脉冲。