一种无尘抹布的清洗方法

摘要

本发明提出一种全新的无尘抹布清洗方法，包括将抹布浸泡于经过离子交换树脂过滤的超纯水，并加入脂肪醇聚乙二醇醚、烷基三甘油酰胺和磺基琥珀酸，同时要进行织物精练与酸碱清洗、烘干冷却和无尘检测。所述清洗方法是本公司经过多年创新实践研究总结出来的清洗工艺，通过本发明所述方法清洗出来的无尘抹布几乎完全的清除了其中的有机和无机残留物、液体尘粒以及阴阳离子等污染物，完全满足了半导体生产线芯片、微处理器、半导体装配生产线、碟盘驱动器、LCD显示类产品、无尘车间等诸多领域对抹布的无尘清洁要求，属于无尘抹布清洗加工技术领域的一种革新。

主权项

一种无尘抹布的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)、将抹布通过激光/超声波进行切割；(2)、将切割后的抹布按照浴比1:10‑1:15浸泡于经过离子交换树脂过滤的18MΩ电阻的超纯水中；(3)、在浸泡抹布的超纯水中加入脂肪醇聚乙二醇醚，并使脂肪醇聚乙二醇醚的浓度达到0.2‑0.4mL/L，脂肪醇聚乙二醇醚结构通式R‑0‑(CH₂‑CH₂‑O)_n‑H中的R为C_12‑18，n＝8‑10，其亲水亲油平衡值HLB在10至15之间；(4)、在上述溶液中按质量分数3‑8克/升加入烷基三甘油酰胺，同时按质量分数0.2‑0.8克/升加入微量的磺基琥珀酸；(5)、将抹布在上述溶液中浸泡1到2个小时，然后将抹布在溶液中轻甩若干下后捞出，按照浴比1:10‑1:15再次浸泡于18MΩ电阻的超纯水中；(6)、向步骤(5)中的溶液中以1‑1.5克/升的量加入织物精练剂，并浸泡10‑20分钟，然后将抹布捞出后用18MΩ的超纯水冲洗10次以上；(7)、将步骤(6)冲洗后的抹布再次浸泡于18MΩ电阻的、温度在50‑70℃的超纯水中，以1‑1.5克/升的量加入烧碱，并浸泡30‑50分钟，然后将抹布捞出后用18MΩ的超纯水冲洗10次以上；(8)、将步骤(7)冲洗后的抹布再次浸泡于18MΩ电阻的超纯水中，以1.5‑3克/升的量加入醋酸，并浸泡8‑10分钟，然后将抹布捞出后用18MΩ电阻的超纯水冲洗10次以上；(9)、将步骤(8)处理后的抹布放入脱水清洗设备内,按照体积比1:1000加入抗静电剂SN和18MΩ电阻的超纯水，用超纯水在常温下清洗三次，每次清洗8‑10分钟，然后按照300－400RPM脱水5‑8分钟；(10)、将脱水后的抹布放入烘干机，控制温度在70‑80摄氏度，烘干30‑40分钟，然后于30摄氏度以下冷却10分钟以上；(11)、将步骤(10)冷却后的抹布取出进行无尘检测，包括有机油物污染检测、残留物检测、液体尘粒检测和离子污染检测。