| 发明名称 | 一种高压LED芯片 | ||
| 摘要 | 本实用新型揭示了一种高压LED芯片，包括衬底，及在衬底上由下及上依次设置的第一半导体层、发光层、第二半导体层，所述第二半导体层上沉积有透明导电层，所述芯片上刻蚀有隔离槽，所述隔离槽将芯片隔离形成三个芯片岛，所述隔离槽刻蚀至衬底，相邻所述芯片岛之间通过介质绝缘层连接。本实用新型突出效果为：隔离槽的宽度降到5um以下，能稳定的形成连续金属薄膜，更有效的利用有限的发光面积提供更高的光效。 | ||
| 申请公布号 | CN204289445U | 申请公布日期 | 2015.04.22 |
| 申请号 | CN201420715996.X | 申请日期 | 2014.11.26 |
| 申请人 | 苏州新纳晶光电有限公司 | 发明人 | 翁启伟;傅华;张存磊;王勇;吴思;王怀兵 |
| 分类号 | H01L25/13(2006.01)I;H01L33/02(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I | 主分类号 | H01L25/13(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人 | 陆明耀;陈忠辉 |
| 主权项 | 一种高压LED芯片，包括衬底，及在衬底上由下及上依次设置的第一半导体层、发光层、第二半导体层，其特征在于：所述第二半导体层上沉积有透明导电层，所述芯片上刻蚀有隔离槽，所述隔离槽将芯片隔离形成三个芯片岛，所述隔离槽刻蚀至衬底，相邻所述芯片岛之间通过介质绝缘层绝缘，相邻所述芯片岛通过电桥连接。 | ||
| 地址 | 215021 江苏省苏州市苏州工业园区苏虹东路388号 | ||