一种与等离子体激元耦合的高效GaN基LED

摘要

本实用新型属于微电子与光电子技术领域，涉及一种与等离子体激元耦合的高效GaN基LED，该LED由下向上依次包括蓝宝石衬底，GaN成核层一层，GaN无掺杂层一层，n型GaN一层，InGaN/GaN多量子阱，p型GaN欧姆接触层一层，Ag光子晶体一层，p型GaN填充Ag光子晶体的空隙，p型GaN掺杂层一层，P电极和N电极各一个。本实用新型利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术和微纳加工技术制备，还利用金属光子晶体的SPP泄露模式和近场局域耦合增强器件发光效率。

主权项

一种与等离子体激元耦合的高效GaN基LED，由下向上依次包括蓝宝石衬底，GaN成核层一层，GaN无掺杂层一层，n型GaN一层，InGaN/GaN多量子阱，p型GaN欧姆接触层一层，Ag光子晶体一层，p型GaN填充Ag光子晶体的空隙，p型GaN掺杂层一层，P电极和N电极各一个。