通过减小掺杂剂在栅极之下的扩散来形成存储器单元的方法

摘要

一种形成存储器单元的方法包括：在衬底上方形成导电浮置栅极，在所述浮置栅极上方形成导电控制栅极，在所述浮置栅极的一侧横向形成导电擦除栅极并在所述浮置栅极的所述一侧的相对侧横向形成导电选择栅极。在所述浮置栅极和所述选择栅极形成之后，所述方法包括使用以相对于所述衬底的表面小于九十度且大于零度的角度注入掺杂剂的注入过程，将所述掺杂剂注入到所述选择栅极下的所述沟道区的部分中。

主权项

一种形成存储器单元的方法，包括：提供第一导电类型的半导体材料的衬底；在所述衬底中形成第二导电类型的第一和第二间隔开的区域，在所述第一和第二间隔开的区域之间具有沟道区；形成位于所述衬底上方且与所述衬底绝缘的导电浮置栅极；形成位于所述浮置栅极上方且与所述浮置栅极绝缘的导电控制栅极；形成横向位于所述浮置栅极的一侧且与所述浮置栅极绝缘的导电擦除栅极；形成横向位于所述浮置栅极的所述一侧的相对侧且与所述浮置栅极绝缘的导电选择栅极；以及在所述浮置栅极和所述选择栅极的所述形成之后，使用以相对于所述衬底的表面小于九十度且大于零度的角度注入掺杂剂的注入过程，将所述掺杂剂注入到所述选择栅极下的所述沟道区的部分中。