发明名称 |
驱动电路结构及其制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种驱动电路结构及其制作方法。该驱动电路结构,配置于一基板上,并包括一第一薄膜晶体管、一第二薄膜晶体管、一第一绝缘层及一第二绝缘层。第一薄膜晶体管具有一第一半导体通道区。第二薄膜晶体管具有一第二半导体通道区。第一绝缘层覆盖第一薄膜晶体管,并具有一开口。开口的面积暴露出第二薄膜晶体管的第二半导体通道区的面积。第二绝缘层配置于第一绝缘层上,覆盖第二薄膜晶体管,并填充开口的面积而覆盖第二半导体通道区的面积。本公开可以不同模式进行操作的薄膜晶体管可同样地具有良好驱动信赖性。 |
申请公布号 |
CN104538406A |
申请公布日期 |
2015.04.22 |
申请号 |
CN201510011210.5 |
申请日期 |
2015.01.09 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
曾伟豪;陈登科;吕嘉扬;方绍为;石宗祥;丁宏哲 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
隆天知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
李昕巍;赵根喜 |
主权项 |
一种驱动电路结构,配置于一基板上,并包括:一第一薄膜晶体管,具有一第一半导体通道区;一第二薄膜晶体管,具有一第二半导体通道区;一第一绝缘层,覆盖该第一薄膜晶体管,并具有一开口,该开口的面积暴露出该第二薄膜晶体管的该第二半导体通道区的面积;以及一第二绝缘层,配置于该第一绝缘层上,覆盖该第二薄膜晶体管,并填充该开口的该面积而覆盖该第二半导体通道区的面积。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |