TFT-LCD阵列基板制造方法及其阵列基板和相关器件

摘要

本发明涉及液晶显示器技术领域，提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法及其阵列基板和相关器件。本发明的方案中，采用底部钻刻工艺产生的底部凹陷，直接在钝化层上沉积透明导电层即得到像素电极图案。本发明的底部钻刻工艺，由于利用了底部凹陷现象，只需在对钝化层进行刻蚀时适当延长刻蚀时间即可实现，其操作简便，工艺条件无苛刻要求，相对于现有的三次掩膜技术，由于省略了离地剥离及在高温光刻胶上沉积ITO等的工艺处理，大大缩短了工艺时间，节约了成本。

主权项

一种TFT‑LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述方法包括步骤：S1，形成栅电极层图案；S2，形成有源层图案及源漏极层图案；S3，形成钝化层图案，将像素电极区域的钝化层去除，采用底部钻刻工艺在保留的钝化层的边缘产生底部凹陷；进行透明导电层的沉积形成像素电极图案；所述步骤S3具体为：涂覆钝化层和光刻胶，采用掩膜板曝光显影，对钝化层进行过刻蚀的底部钻刻工艺，使得保留的钝化层的边缘产生底部凹陷，所述钝化层的边缘在所述底部凹陷上还有倾角，所述底部凹陷和所述倾角形成突起；将钝化层表面的光刻胶完全去除；采用溅射或热蒸发的方法沉积透明导电层直接形成像素电极图案。