| 发明名称 | 一种功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构，它包括由若干个VDMOS单元一起构成的功率VDMOS器件，和由若干个齐纳二极管单元构成的ESD保护结构；所述ESD保护结构的等效输出端并接在所述功率VDMOS器件的栅极和源极两端；所述齐纳二极管单元的反向击穿电压大于所述一种功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构的最大栅源工作电压，且小于栅氧化层的最小击穿电压。本发明的功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构寄生电容小、防护效果更好、工作更可靠，充当ESD防护的单元设于n-外延上并且与VDMOS单元相隔离，使得制造工艺简单、结构稳定并且与VDMOS器件工艺相兼容。本发明适用于功率VDMOS器件的ESD防护。 | ||
| 申请公布号 | CN104538395A | 申请公布日期 | 2015.04.22 |
| 申请号 | CN201510008374.2 | 申请日期 | 2015.01.08 |
| 申请人 | 电子科技大学;四川蓝彩电子科技有限公司;四川绿然电子科技有限公司;上海朕芯微电子科技有限公司 | 发明人 | 赵建明;徐开凯;廖智;黄平;赵国;钟思翰;徐彭飞;胡兴微;蒋澎湃;陈勇;夏建新 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 石家庄科诚专利事务所 13113 | 代理人 | 张红卫 |
| 主权项 | 一种功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构，<b>其特征在于：</b>它包括由若干个VDMOS单元一起构成的功率VDMOS器件，和由若干个齐纳二极管单元构成的ESD保护结构；所述ESD保护结构的等效输出端并接在所述功率VDMOS器件的栅极和源极两端；所述齐纳二极管单元的反向击穿电压大于所述一种功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构的最大栅源工作电压，且小于栅氧化层的最小击穿电压。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||