AlGaInP系发光二极管器件

摘要

本发明公开了一种AlGaInP系发光二极管器件，依次包括：衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层、窗口层，所述发光层和P型AlGaInP层之间插入GaP层，进一步地所述P型半导体层中至少插入一GaP层。所述GaP层的插入，能带结构上可以有效阻挡电子向P型层泄漏的同时，增加P型层空穴的浓度，因此，可以有效增加发光层中电子和空穴的复合几率，进而，提高发光二极管器件的发光效率。

主权项

一种AlGaInP系发光二极管器件，依次包括：衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层、窗口层，其特征在于：所述发光层和P型AlGaInP层之间插入GaP层，以产生导带偏移ΔEc，形成阻挡电子扩散的势垒。