发明名称 |
一种抑制背栅效应的砷化镓基赝配高电子迁移率晶体管材料结构 |
摘要 |
一种抑制背栅效应的砷化镓基赝配高电子迁移率晶体管材料结构,该材料结构由在半绝缘GaAs衬底上依次生长的低温GaAs缓冲层、常温GaAs缓冲层、GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层、下AlGaAs势垒层、下平面掺杂层、下AlGaAs空间隔离层、InGaAs沟道层、上AlGaAs空间隔离层、上平面掺杂层、上AlGaAs势垒层、第二InGaP阻断层、GaAs次帽层、第一InGaP阻断层、重掺杂GaAs帽层组成。该材料结构在材料生长层面就消除了背栅效应,为后期的芯片电路设计和器件制造工艺提供了便利,同时也可以极大地降低材料生长成本。 |
申请公布号 |
CN204289458U |
申请公布日期 |
2015.04.22 |
申请号 |
CN201420769144.9 |
申请日期 |
2014.12.09 |
申请人 |
新磊半导体科技(苏州)有限公司 |
发明人 |
冯巍;杜全钢;谢小刚;李维刚;姜炜;郭永平;蒋建 |
分类号 |
H01L29/205(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/205(2006.01)I |
代理机构 |
北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 |
代理人 |
沈波 |
主权项 |
一种抑制背栅效应的砷化镓基赝配高电子迁移率晶体管材料结构,该结构包括半绝缘GaAs衬底(1)、LT‑GaAs缓冲层(2)、常温GaAs缓冲层(3)、GaAs/AlGaAs超晶格(SL)缓冲层(4)、下AlGaAs势垒层(5)、下平面掺杂层(6)、下AlGaAs空间隔离层(7)、InGaAs沟道层(8)、上AlGaAs空间隔离层(9)、上平面掺杂层(10)、上AlGaAs势垒层(11)、第二InGaP阻断层(12)、GaAs次帽层(13)、第一InGaP阻断层(14)、重掺杂GaAs帽层(15);具体而言,在半绝缘GaAs衬底(1)上依次生长LT‑GaAs缓冲层(2)、常温GaAs缓冲层(3)、GaAs/AlGaAs超晶格(SL)缓冲层(4)、下AlGaAs势垒层(5)、下平面掺杂层(6)、下AlGaAs空间隔离层(7)、InGaAs沟道层(8)、上AlGaAs空间隔离层(9)、上平面掺杂层(10)、上AlGaAs势垒层(11)、第二InGaP阻断层(12)、GaAs次帽层(13)、第一InGaP阻断层(14)、重掺杂GaAs帽层(15)。 |
地址 |
215151 江苏省苏州市大同路20号出口加工区D-1厂房 |