发明名称 |
限制靶材的迁移 |
摘要 |
在电子照射系统(1)中,气密外壳(60)包围阴极区(10)和照射区(20),其通过至少一个孔(22)连通。在阴极区中,布置有用于发射电子束的高电压阴极(11)。在照射区中,存在布置以容纳静止的或移动的待被照射的目标的照射部位(21)。借助于电场(E)限制阴极退化碎片的迁移,该电场被设计以防止带正电的粒子经由孔进入阴极区。本发明可用轴向电场或横向场体现,轴向电场实现能量阈值,横向场使带电粒子偏转远离引入阴极区的轨迹。 |
申请公布号 |
CN104541332A |
申请公布日期 |
2015.04.22 |
申请号 |
CN201280075230.3 |
申请日期 |
2012.06.14 |
申请人 |
伊克斯拉姆公司 |
发明人 |
奥斯卡·汉伯格;汤米·图希玛;波尔·塔克曼 |
分类号 |
G21K5/04(2006.01)I;H01J35/04(2006.01)I |
主分类号 |
G21K5/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 |
代理人 |
周靖;郑霞 |
主权项 |
一种电子照射系统(1、201),包括:第一导电元件(31、231、331、431、531);气密外壳(60、560),其包括所述第一导电元件且围绕阴极区(10、210、310、410、510)和与所述阴极区相通的照射区(20、220、320、420、520);高电压阴极(11、211、311),其布置在所述阴极区中且可操作以发射电子束;照射部位(21、221、321),其布置在所述照射区中;和孔(22、222、322、422、522),其连接所述阴极区和所述照射区,且围绕从所述阴极到所述照射部位的电子轨迹,其特征在于第二导电元件(32、232、332、432、532)和电压源(40、240、340、440、540),所述电压源用于在所述第一导电元件和第二导电元件之间施加非零偏置电压,从而生成电场(E),所述电场防止带正电粒子经由所述孔进入所述阴极区。 |
地址 |
瑞典基斯塔 |