一种在基底上制备晶片级大尺寸六方氮化硼的方法

摘要

一种在基底上制备晶片级大尺寸六方氮化硼的方法，涉及六方氮化硼。在Cu箔上可控生长六方氮化硼薄层；携带Borazane的气体离开石英管后，将Cu箔衬底弯曲成半圆柱状并折置入石英舟，推入加热温区，抽真空，加热，当温度达到设定值时通入H₂，进行表面去氧化物处理，继续升高三区的生长温度，对一区前驱物加热，同时达到设定值一区温度和三区温度时，从石英管中通入H₂和Ar输送产生的Borazane气体进入反应腔进行反应，直至Cu箔被完全覆盖,反应结束后取出Cu箔，即在Cu箔上生长大面积六方氮化硼薄层，再旋涂pmma层，溶解掉Cu衬底,将pmma/六方氮化硼薄膜转移到衬底上，再去除样品表面的pmma层，即完成。

主权项

一种在基底上制备晶片级大尺寸六方氮化硼的方法，其特征在于包括以下步骤：1)在Cu箔上可控生长六方氮化硼薄层，具体方法如下：用三温区LPCVD系统，用Borazane粉末作为反应源，首先，将Cu箔放入石英舟，推入CVD反应腔加热温区，将Borazane粉末放在内置的石英管中，将腔内抽真空，然后运用管式炉对石英反应腔加热；当三区反应腔温度达到设定值800～1000℃时，先通入H₂，进行表面去氧化物处理，继续升高三区的生长温度，且同时对一区前驱物进行加热，并同时达到设定值一区温度60～80℃和三区温度1000～1050℃时，从石英管中通入H₂和Ar输送产生的Borazane气体进入反应腔进行反应，待反应结束后将样品拉出加热区，同时通入H₂和Ar用作保护气体，最后待降到室温时取出样品；经过对其表面进行光学显微镜和SEM测试，可以观察到生长在Cu箔上的六方氮化硼薄层；2)携带Borazane的气体离开石英管后，将Cu箔衬底弯曲成以石英管为中心轴的半圆柱状并折置入石英舟，推入CVD反应腔加热温区，将腔内抽真空，然后用管式炉对石英反应腔加热，当温度达到设定值时，先通入H₂，进行表面去氧化物处理，之后继续升高三区的生长温度,且同时对一区前驱物进行加热，同时达到设定值一区温度60～80℃和三区温度1000～1050℃时，从石英管中通入H₂和Ar输送产生的Borazane气体进入反应腔进行反应，直至Cu箔被完全覆盖,反应结束后取出Cu箔，对Cu箔表面进行光学显微镜和SEM测试，可以观察到生长在Cu箔上的大面积六方氮化硼薄层；3)在生长有六方氮化硼薄层的Cu箔上旋涂pmma层，然后利用过硫酸铵溶解掉Cu衬底,再利用转移工具将pmma/六方氮化硼薄膜转移到衬底上，最后放入丙酮溶液浸泡，去除样品表面的pmma层，即完成在基底上制备晶片级大尺寸六方氮化硼。