杂质层形成方法、曝光用掩膜及固体摄像装置的制造方法

摘要

杂质层形成方法、曝光用掩膜及固体摄像装置的制造方法。杂质层形成方法包括：在半导体基板(15)表面上形成抗蚀剂材料(16)的工序；使用光栅掩膜(10)曝光抗蚀剂材料的工序，该光栅掩膜具有由透射率相互不同的多个微小透射部(13A至13D)构成的多个单位透射区域(14)，并具有这些单位透射区域二维状排列的透射区域(11)；显影曝光的抗蚀剂材料，在半导体基板表面上形成具有与透射区域的透射率相对应的膜厚的薄膜区域(17)的抗蚀剂层(18)的工序；经由薄膜区域向半导体基板(15)注入离子的工序；以及使注入到相同深度的多个离子群(21A’、21B’、21C’、21D’)扩散为在横向上接合且均匀化的工序。

主权项

一种杂质层形成方法，其特征在于，包括：在基板上形成感光性的抗蚀剂材料的工序；使用曝光用掩膜对上述抗蚀剂材料进行曝光的工序，上述曝光用掩膜为，多个单位透射区域相互无间隙地排列为二维状，上述单位透射区域具有相互的透射率不同的多个部分区域，且相邻的上述单位透射区域中的具有相同透射区域的部分区域相互离开地排列为格子状；通过对所曝光的上述抗蚀剂材料进行显影，由此形成抗蚀剂层的工序，该抗蚀剂层具有根据上述单位透射区域的上述部分区域的透射率而形成的膜厚不同的多个薄膜部，且具有相同膜厚的上述薄膜部相互离开地排列；经由该抗蚀剂层的薄膜部向上述基板注入离子，根据上述薄膜部的膜厚而形成具有不同深度的多个离子注入群，且具有相同深度的上述离子注入群在水平方向上形成在相互不同的位置上的工序；以及在该离子注入工序之后，使上述基板内的相同深度的上述离子注入群扩散为在水平方向上连结、且使不同深度的上述离子注入群扩散为在垂直方向上连结，而形成深的杂质层的工序。