发明名称 一种聚酰亚胺薄膜高强度拼接方法
摘要 本发明公开了一种聚酰亚胺薄膜高强度拼接方法,步骤一、将聚酰亚胺薄膜a的待拼接部位固定在薄膜拼接装置的铝合金底座上;步骤二、将聚氨酯热熔胶粉末均匀涂覆于聚酰亚胺薄膜a的待拼接部位表面;步骤三、将聚酰亚胺薄膜b的待拼接部位覆盖在聚氨酯热熔胶粉末上,并固定在铝合金底座上;步骤四、打开电源,将铝合金底座加热至300℃,保持2分钟;步骤五、将薄膜拼接装置的压模压在聚酰亚胺薄膜b的待拼接部位,保持2分钟;步骤六、关闭电源,自然冷却,完成聚酰亚胺薄膜的高强度拼接;本发明可适用于聚酰亚胺薄膜材料的高强度拼接;可根据具体薄膜拼接要求采用拼接装置,操作简单、拼接强度高、可实现不同型面薄膜的拼接制备。
申请公布号 CN104530992A 申请公布日期 2015.04.22
申请号 CN201410784152.5 申请日期 2014.12.16
申请人 兰州空间技术物理研究所 发明人 王虎;王志民;冯煜东;左华平;王艺;赵慨;王金晓;杨淼
分类号 C09J5/06(2006.01)I 主分类号 C09J5/06(2006.01)I
代理机构 北京理工大学专利中心 11120 代理人 李爱英;仇蕾安
主权项 一种聚酰亚胺薄膜高强度拼接方法,其特征在于,具体过程如下:步骤一、将聚酰亚胺薄膜a的待拼接部位固定在薄膜拼接装置的铝合金底座上;步骤二、将聚氨酯热熔胶粉末均匀涂覆于聚酰亚胺薄膜a的待拼接部位表面;步骤三、将聚酰亚胺薄膜b的待拼接部位覆盖在聚氨酯热熔胶粉末上,并固定在铝合金底座上;步骤四、打开电源,将铝合金底座加热至300℃,保持2分钟;步骤五、将薄膜拼接装置的压模压在聚酰亚胺薄膜b的待拼接部位,保持2分钟;步骤六、关闭电源,自然冷却,完成聚酰亚胺薄膜的高强度拼接。
地址 730000 甘肃省兰州市城关区渭源路97号