发明名称 |
一种聚酰亚胺薄膜高强度拼接方法 |
摘要 |
本发明公开了一种聚酰亚胺薄膜高强度拼接方法,步骤一、将聚酰亚胺薄膜a的待拼接部位固定在薄膜拼接装置的铝合金底座上;步骤二、将聚氨酯热熔胶粉末均匀涂覆于聚酰亚胺薄膜a的待拼接部位表面;步骤三、将聚酰亚胺薄膜b的待拼接部位覆盖在聚氨酯热熔胶粉末上,并固定在铝合金底座上;步骤四、打开电源,将铝合金底座加热至300℃,保持2分钟;步骤五、将薄膜拼接装置的压模压在聚酰亚胺薄膜b的待拼接部位,保持2分钟;步骤六、关闭电源,自然冷却,完成聚酰亚胺薄膜的高强度拼接;本发明可适用于聚酰亚胺薄膜材料的高强度拼接;可根据具体薄膜拼接要求采用拼接装置,操作简单、拼接强度高、可实现不同型面薄膜的拼接制备。 |
申请公布号 |
CN104530992A |
申请公布日期 |
2015.04.22 |
申请号 |
CN201410784152.5 |
申请日期 |
2014.12.16 |
申请人 |
兰州空间技术物理研究所 |
发明人 |
王虎;王志民;冯煜东;左华平;王艺;赵慨;王金晓;杨淼 |
分类号 |
C09J5/06(2006.01)I |
主分类号 |
C09J5/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京理工大学专利中心 11120 |
代理人 |
李爱英;仇蕾安 |
主权项 |
一种聚酰亚胺薄膜高强度拼接方法,其特征在于,具体过程如下:步骤一、将聚酰亚胺薄膜a的待拼接部位固定在薄膜拼接装置的铝合金底座上;步骤二、将聚氨酯热熔胶粉末均匀涂覆于聚酰亚胺薄膜a的待拼接部位表面;步骤三、将聚酰亚胺薄膜b的待拼接部位覆盖在聚氨酯热熔胶粉末上,并固定在铝合金底座上;步骤四、打开电源,将铝合金底座加热至300℃,保持2分钟;步骤五、将薄膜拼接装置的压模压在聚酰亚胺薄膜b的待拼接部位,保持2分钟;步骤六、关闭电源,自然冷却,完成聚酰亚胺薄膜的高强度拼接。 |
地址 |
730000 甘肃省兰州市城关区渭源路97号 |