| 发明名称 | 蒸镀装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种蒸镀装置包括：真空室，提供真空环境；蒸发源，位于真空室中，提供用于蒸镀的Li3N，并对Li3N进行加热分解，产生Li；对位系统，与蒸发源相对设置，对需镀膜的基片进行定位，使Li沉积在基片上；冷凝泵，与真空室连通，用于对真空室进行抽真空处理；分子泵，与真空室连通，用于维持真空室的低真空度。通过上述方式，本发明能够提高腔内真空度，减少对器件寿命的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN104532192A | 申请公布日期 | 2015.04.22 |
| 申请号 | CN201410802486.0 | 申请日期 | 2014.12.19 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 李金川;吴聪原 |
| 分类号 | C23C14/24(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人 | 何青瓦 |
| 主权项 | 一种蒸镀装置，其特征在于，所述蒸镀装置包括：真空室，提供真空环境；蒸发源，位于所述真空室中，提供用于蒸镀的Li3N，并对所述Li3N进行加热分解，产生Li；对位系统，与所述蒸发源相对设置，对需镀膜的基片进行定位，使所述Li沉积在所述基片上；冷凝泵，与所述真空室连通，对所述真空室进行抽真空处理；分子泵，与所述真空室连通，维持所述真空室的低真空度。 | ||
| 地址 | 518000 广东省深圳市光明新区公明办事处塘家社区观光路汇业科技园综合楼1第一层B区 | ||