| 发明名称 | 垂直结构的可控硅型部件 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种垂直结构的可控硅型部件。垂直结构的SCR型部件具有在第一导电类型的硅区域上形成的主上部电极，所述硅区域本身形成在第二导电类型的硅层中，其中所述区域在如下部位中被中断：其中所述层的材料与所述电极接触的第一部位，以及由在所述层与所述电极之间延伸的电阻性多孔硅制成的第二部位。 | ||
| 申请公布号 | CN204289459U | 申请公布日期 | 2015.04.22 |
| 申请号 | CN201420524534.X | 申请日期 | 2014.09.12 |
| 申请人 | 意法半导体(图尔)公司 | 发明人 | S·梅纳德 |
| 分类号 | H01L29/74(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/74(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华;张宁 |
| 主权项 | 一种垂直结构的可控硅型部件，其特征在于，具有在第一导电类型的硅区域上形成的主上部电极，所述硅区域本身形成在第二导电类型的硅层中，其中所述区域在如下部位中被中断：其中所述层的材料与所述电极接触的第一部位，以及由在所述层与所述电极之间延伸的电阻性多孔硅制成的第二部位。 | ||
| 地址 | 法国图尔 | ||