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<p>본 발명은, 전기적으로 안정적인 특성을 가지는 트랜지스터를 제공하는 것을 과제로 한다. 또한, 상기 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치에서, 신뢰성을 향상시키는 것을 과제로 한다. 반도체 장치는, 게이트 전극층과, 게이트 전극층 위에 형성된 게이트 절연막과, 게이트 절연막을 사이에 끼우고 게이트 전극층과 중첩하는 산화물 반도체 적층막과, 산화물 반도체 적층막에 접촉하여 형성된 한쌍의 전극층을 포함한다. 반도체 장치에서, 산화물 반도체 적층막은 적어도 인듐을 포함하고, 제 1 산화물 반도체층, 제 2 산화물 반도체층, 및 제 3 산화물 반도체층이 순서대로 적층된다. 또한, 제 1 산화물 반도체층은 비정질 구조를 가지고, 제 2 산화물 반도체층 및 제 3 산화물 반도체층은 c축이 산화물 반도체 적층막의 표면에 대략 수직인 결정부를 포함한다.</p> |
