低温多晶硅薄膜的制备方法、TFT、阵列基板及显示装置

摘要

本发明实施例提供了一种低温多晶硅薄膜的制备方法、TFT、阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，可使采用ELA法制备的LTPS薄膜在对应于TFT的源漏之间的区域内晶粒更大、晶界更少，降低TFT漏电流、提高阈值电压稳定性。该方法包括：形成缓冲层、非晶硅薄膜；在非晶硅薄膜上形成光学层，用于对非晶硅薄膜进行激光退火处理时，预定区域受到激光照射产生的温度小于其余区域受到激光照射产生的温度；光学层与非晶硅薄膜具有不同的折射率；对非晶硅薄膜进行激光退火处理，使非晶硅薄膜转化为低温多晶硅薄膜；预定区域内的多晶硅晶粒尺寸大于其余区域内的多晶硅晶粒尺寸。用于低温多晶硅薄膜及包括低温多晶硅薄膜的薄膜晶体管的制备。

主权项

一种低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上依次形成缓冲层、非晶硅薄膜；在所述非晶硅薄膜上形成光学层；所述光学层用于在对所述非晶硅薄膜进行激光退火处理时，使所述非晶硅薄膜中的预定区域受到激光照射产生的温度小于除所述预定区域之外的其余区域受到激光照射产生的温度；其中，所述光学层与所述非晶硅薄膜具有不同的折射率；对所述非晶硅薄膜进行所述激光退火处理，使所述非晶硅薄膜转化为低温多晶硅薄膜；其中，激光的照射方向为从所述光学层指向所述非晶硅薄膜；形成的所述低温多晶硅薄膜中，所述预定区域内的多晶硅晶粒尺寸大于所述其余区域内的多晶硅晶粒尺寸。